
در حال بارگذاری...





نوع رابط
PCIe 4.0 x4
ظرفیت
500 گیگابایت - 500GB
فرم فاکتور
M.2
سرعت نوشتن اطلاعات
4000 مگابیت بر ثانیه
پشتیبانی از NVMe
دارد
پشتیبانی از TRIM
دارد
فناوری S.M.A.R.T
دارد
سرعت خواندن اطلاعات
5000 مگابایت بر ثانیه
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک و لرزش معادل 1500G
پشتیبانی از فناوری های نظارتی داده های حافظه TRIM و SMART
حافظه فلش از نوع 3D TLC NAND، ساخته شده در فرم فاکتور M.2 2280
میزان سرعت خواندن تصادفی برابر با 460K IOPS و نوشتن معادل 770K IOPS
میزان سرعت خواندن ترتیبی برابر با 5000 مگابایت بر ثانیه و نوشتن معادل 4000 مگابایت بر ثانیه
میانگین زمان بین خطاها (MTBF) 1.7 میلیون ساعت و حداکثر حجم قابل نوشتاری (TBW) 1200 ترابایت
دارای ظرفیت 500 گیگابایت و رابط اتصال PCIe 4.0 x4، ساخته شده در فرم فاکتور M.2 با پشتیبانی از استاندارد NVMe